中国首款自主知识产权相变存储器芯片研制成功

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17日，记者从中国科学院上海微系统与信息技术研究所了解到，中国第一个拥有自主知识产权的相变存储器芯片已经研制成功，产业化前景广阔。据专家介绍，与传统的用电荷存储的存储器相比，相变存储器主要是利用晶态和非晶态可逆相变材料之间的电导率差异来存储，被称为“操纵原子排列来存储”的新型存储器。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、pcram研究项目负责人宋说，pcram相变存储器不仅集成了目前半导体存储器市场主流的dram、sram和flash存储器的优良特性，而且具有超小型、非易失性、长周期寿命、数据稳定性强、功耗低等优点。，被认为是下一代非易失性存储器技术的最佳解决方案之一。 目前，英特尔、美光、三星等国际知名半导体公司在pcram产业化方面取得了有效进展，其中美光有多种产品可以替代诺氟拉什，三星开发了最大容量为512mb的pcram测试芯片，并已投入批量生产，应用于手机存储卡。 上海微系统与信息技术研究所生产的pcram测试芯片的存储容量为8mb，8英寸硅片上每个存储芯片的成品率超过99%。通过语音演示，证明该芯片能够实现读取、写入和擦除存储器的全部功能。截至2010年底，pcram相变存储器已获得50多项发明专利，并已公布150多项专利。相关专利的分布涵盖了从材料、结构工艺、设计到测试的整个芯片生产过程。专家表示，这种pcram芯片将取代传统存储器如norflash，并广泛用于手机存储、射频识别等消费电子产品。 宋表示，中国半导体存储器市场目前接近1800亿元，但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术，国内存储器生产成本极高。“pcram相变存储器的自主开发，使中国的存储芯片生产真正摆脱了国外技术的垄断。”他说，这种pcram相变存储器有望在今年内投入大规模生产。“我们计划在10年内将中国的内存自给率提高到60%。”